Un dottorando del DIEF – Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” dell’Università degli studi di Modena e Reggio Emilia ha ricevuto un riconoscimento internazionale per il suo studio dedicato a transistor realizzati con nitruro di gallio, composto chimico che si candida a sostituire il silicio e a rivoluzionare, prima fra tutti, l’industria elettronica.
Il dott. Fabio Soci, iscritto al secondo anno della scuola di dottorato in Information and Communication Technologies dell’Ateneo di Modena e Reggio Emilia, si è aggiudicato l’Honourable Mention Best Student Paper Award durante la conferenza HEterostructure TECHnologies – HETECH2013 tenutasi a Glasgow in Scozia, alcune settimane fa.
La giuria, impegnata a valutare i numerosi lavori presentati, ha particolarmente apprezzato la ricerca del giovane dottorando modenese dal titolo “Threshold voltage shift investigation and oxide trap profile extraction in AlGaN/GaN MIS-HEMTs” (Studio delle variazioni della tensione di soglia ed estrazione del profilo delle trappole nell’ossido in MIs-HEMT al AlGaN/GaN), nella quale si propone un’analisi dei meccanismi che provocano l’instabilità della tensione di soglia nei transistor HEMT realizzati con nitruro di gallio (GaN).
“Grazie alle eccellenti proprietà fisiche del nitruro di gallio – ha dichiarato il dott. Fabio Soci – questi dispositivi permettono di realizzare sistemi per la conversione di potenza energeticamente più efficienti e più compatti rispetto ai sistemi attuali e, quindi, si propongono come principale alternativa del silicio nel campo dell’elettronica di potenza”.
“Le tecniche di misura presentate nell’articolo – ha dichiarato il dott. Alessandro Chini, supervisore di Fabio Soci – consentono un’approfondita analisi dei meccanismi d’intrappolamento di carica che compromettono la stabilità e l’affidabilità dei transistor, ma soprattutto permettono di effettuare significativi confronti tra famiglie di dispositivi realizzate con processi differenti, aspetto più che mai importante nello sviluppo di una nuova tecnologia.”
Il lavoro, grazie al quale il dott. Fabio Soci è stato premiato, ha visto impegnato uno staff ampio, principalmente attivo presso i laboratori del Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” a Modena, guidato dal prof. Paolo Pavan, docente di Elettronica, con la supervisione del dott. Alessandro Chini e la collaborazione dell’ing. Paolo M. Tedaldi, studente magistrale di Ingegneria Elettronica. La collaborazione include anche STMicroelectronics che ha fornito i dispositivi e i proff. Gaudenzio Meneghesso ed Enrico Zanoni dell’Università di Padova.
“Questo riconoscimento – ha commentato il prof. Paolo Pavan, docente di Elettronica al DIEF – si aggiunge ai positivi risultati ottenuti dai ricercatori di Elettronica nella Valutazione sulla Qualità della Ricerca (VQR) che li vedono al primo posto in Italia.La elevata qualità dei risultati si ottiene anche attraverso la preparazione, l’impegno e la dedizione dei giovani dottorandi di Elettronica”.
FABIO SOCI. Nato a Pavullo il 17 aprile 1987 nel 2009 ha conseguito la laurea triennale in Ingegneria Elettronica con una tesi su “Realizzazione di una solar harvester per applicazioni low power” ottenendo il massimo dei voti (110 e lode) e, successivamente, nel 2011 ha concluso il corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettronica, conseguendo il titolo col punteggio di 110 e lode presentando una tesi su “Circuiti inductor-less innovativi per applicazioni di harvesting solare”.
